（如温度和光照）的改变会引起导电性能发生 很大变化。半导体材料之间，或者半导体和某些金属材料之间相接触的地方， 具有单向导电的性能，和二极电子管的性能相象。

1928年，有人提议用半导体材料制作和电子管功能差不多的晶体管。但 一方面由于当时还缺少研究半导体电子特性的固体物理学知识；另一方面由 于按温度、压力、化学组成等宏观概念产生的半导体材料在微观结构上是混 乱的，没有规律，它的电子性能具有很大的偶然性，因此晶体管没有研制成 功。

随着研究分子、原子和电子状态的固体物理学的发展，随着晶体生长理 论和生长技术的发展，高纯度的晶体锗生产出来了，这就给晶体管的研制创 造了条件。

美国贝尔研究所的巴丁、肖克利、布拉顿等人合作研制成功了晶体管。 巴丁原是大学教授，担任贝尔研究所所长，研究半导体理论，1947年他提出 关于结晶表面的理论。布拉顿是实验物理学家，他对半导体表面进行实验研 究，发展了半导体单晶的精制、成长等有关技术。巴丁和布拉顿两人，一个 是理论家，一个是实验大师。1948年他们合作研制成功第一个点接触型晶体 管。肖克利从1936年开始进行关于固体物理学、金属学、电子学等基础理论 研究。从1945年起在贝尔研究所从事半导体理论研究，1949年他提出了P —N结理论 （关于晶体中由于掺入杂质的不同所形成的P型和N型两种导电 类型区域的理论）。不久，贝尔研究所研制成功第一个结型晶体三极管。由 于研制成功晶体管，他们三人获得1956年诺贝尔物理奖。